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阜阳变压器厂家:线性阜阳变压器的应用及技术分析

发布者:阜阳变压器厂    发布时间:2018-09-14
阜阳变压器厂家:线性阜阳变压器的应用及技术分析

线性阜阳变压器的应用及技术分析

一、线性阜阳变压器的应用
线性阜阳变压器的主要应用体现在以下几个方面:
1. 简单/低成本的解决方案。线性阜阳变压器和LDO简单易用,特别适合于那些具有低输出电流、热应力不很关键的低功率应用。无需外部功率电感器。
2. 低噪声/低纹波应用。对于那些对噪声敏感的应用(例如:通信和无线地 址:山东省聊城高新技术产业开发区聊牛路98号电设备)而言,******限度地抑制电源噪声是非常关键的。线性阜阳变压器具有非常低的输出电压纹波(因为没有频繁接通和关断的组件),而且线性阜阳变压器还可以拥有非常高的带宽。所以,几乎不存在EMI问题。有些特殊的LDO(比如:凌力尔特的LT1761 LDO系列)在输出端的噪声电压低至20μVRMS.这么低的噪声水平SMPS几乎是不可能实现的。即使采用ESR非常低的电容器,SMPS的输出纹波往往也将达到mV级。
3. 快速瞬态应用。线性阜阳变压器反馈环路一般都是内置的,因此无需外部补偿。相比于SMPS,线性阜阳变压器通常具有较宽的控制环路带宽和较快的瞬态响应。
4. 低压差应用。对于那些输出电压接近输入电压的应用来说,LDO可能比SMPS更有效。有非常低压差LDO(VLDO),例如:凌力尔特的LTC1844、LT3020和LTC3025,这些器件可提供20mV至90mV的压差电压和高达150mA的电流。***小输入电压可低至0.9V.由于LR中没有AC开关损耗,因此LR或LDO的轻负载效率与其满负载效率很相近。SMPS常常因其AC开关损耗的缘故而具有较低的轻负载效率。在轻负载效率同样十分关键的电池供电型应用中,LDO可提供一种优于SMPS的解决方案。

二、常用线性阜阳变压器的技术分析 :
电压差和接地电流值主要由线性阜阳变压器的旁路元件(pass element)确定,电压差和接地电流值定了后就可确定阜阳变压器适用的设备类型。目前使用的五大主流线性阜阳变压器每个都具有不同的旁路元件(pass element)和独特性能,分别适合不同的设备使用。 


标准NPN阜阳变压器的优点是Q Q:858033047具有约等于PNP晶体管基极电流的稳定接地电流,即使没有输出电容也相当稳定。这种阜阳变压器比较适合电压差较高的设备使用,但较高的压差使得这种阜阳变压器不适合许多嵌入式设备使用。 


对于嵌入式应用而言,NPN旁路晶体管阜阳变压器是一种不错的选择,因为它的压差小,而且非常容易使用。不过这种阜阳变压器仍不适合具有很低压差要求公司是专业从事输变电设备制造的高新技术企业,主导产品有:环氧树脂干式系列变压器(10kV、20kV 、35kV、110kV级SCB10、SCB11、SC B13型环氧浇注干变、光伏干变、三维立体卷铁芯干变等)、油浸系列变压器(10kV、20kV、35kV、110kV级S11、S13、S14型油浸式变压器及光伏油变、风电油变、三维立体油变等)、非晶合金系列(SH15、SCBH15、SCRBH15)、矿用变压器系列(KS11、KBSGZY矿用移动变电站)以及整流变压器、电炉变压器等20多个系列产品。产品性能先进、结构新颖、美观大方,具有低损耗、低噪音、耐冲击、抗短路等特点。的电池供电设备使用,因为它的压差不够低。它的高增益NPN旁路管可使接地电流稳定在几个毫安,而且它的公共发射极结构具有很低的输出阻抗。 


PNP 旁路晶体管是一种低压差阜阳变压器,其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低,因此这种PNP旁路晶体管阜阳变压器非常适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外,PNP晶体管增益较低,会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射极结构,因此它的输出阻抗比较高,这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻(ESR)的电容才能够稳定工作。 


由于P沟道FET阜阳变压器具有较低的压差和接地电流,因此被广泛用于许多电池供电的设备。该类型阜阳变压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种阜阳变压器的电压差可以很低,因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流,因为P沟道FET的“栅极电流”很低。然而,由于 P沟道FET具有相对大的栅极电容,因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。 


N沟道FET阜阳变压器非常适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET,因此这种阜阳变压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作,但电容值不用很大,ESR也不重要。N沟道FET阜阳变压器需要充电泵来建立栅极偏置电压,因此电路相对复杂一些。幸运的是,相同负载电流下N沟道FET尺寸***多时可比P沟道FET小50%。


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